بررسی رسانش وابسته به اسپین در نانو سیم های کوانتومی در حضور میدان مغناطیسی
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم پایه
- author صادق سلیمانی
- adviser محمد مردانی حسن ربانی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1390
abstract
از زمان کشف پدیده هایی مانند مقاومت مغناطیسی بزرگ و مقاومت مغناطیسی تونل زنی در چند لایه های مغناطیسی، تحقیقات وسیعی بر روی مواد مغناطیسی و لایه های نازک مغناطیسی انجام شده است. تلاش فیزیکدان ها در این زمینه باعث ساختن نانو ساختارها و چند لایه های مغناطیسی و به کار بردن آن ها در فناوری، صنایع حس گرها و ثبت کننده ها شده است. مطالعه ترابرد وابسته به اسپین در نانوساختارها و چند لایه ها به ما در طراحی ادوات الکترونیکی وابسته به اسپین کمک می کند. به این شاخه از فیزیک، اسپینترونیک می گویند. در این تحقیق، به تأثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی یک سیم و نانو ساختار مغناطیسی به کمک تابع گرین در رهیافت بستگی قوی می پردازیم. برای مطالعه رسانش در نانو سیم، چند آرایش متفاوت از گشتاورهای مغناطیسی درون یک سیم مغناطیسی متصل به دو هادی غیرمغناطیسی نیمه متناهی در نظرگرفته شد، که نتایج نشان می دهد که رسانندگی قویاً به آرایش گشتاورهای مغناطیسی در یکایاخته وابسته است. همچنین با در نظر گرفتن یک سیم که از اتم های مغناطیسی و غیرمغناطیسی تشکیل شده است و دارای گشتاورهای مغناطیسی متفاوت است، میتوان صافی اسپینی نانو-مقیاس را طراحی کرد. در ادامه به مطالعه ی تحلیلی رسانش در یک نانو ساختارهای استخوان ماهی و شانه-مانند در حضور میدان مغناطیسی پرداخته شد، بررسی نتایج نشان می دهد که رسانندگی قویاً به آرایش گشتاورهای مغناطیسی در نانو ساختار، انرژی جهش بین اتم اصلی و فرعی و اندازه میدان مغناطیسی وابسته است. در نهایت مطالعه رسانش در نانو بلور مشخص می کند که جهت گیری گشتاورهای مغناطیسی لایه های مغناطیسی، رسانندگی های متفاوتی را نشان می دهند. درحضور میدان مغناطیسی رسانندگی کاهش می یابد و حالت پله ی آن از بین می رود و آن به صورت پیوسته تغییر می کند، زاویه قرار گرفتن گشتاورهای مغناطیسی تأثیر زیادی در ترابرد الکترونی دارد. کلید واژه- نانو سیم، اسپینترونیک، مقاومت مغناطیسی بزرگ، مقاومت مغناطیسی تونل زنی، صافی اسپینی.
similar resources
اثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
In this paper, we calculate the spin-dependent conductance of ferromagnetic quantum wire in the presence of one or two defects by using Green's function method at the tight-binding approach. We study the effect of rotation of defect magnetic moment on the system conductance. The results show that in the magnetic wire, independent of existence or absence of defect, the allowed energy region shi...
full textاثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...
full textرسانش وابسته به اسپین یک نانو ساختار استخوان ماهی نوعی
In this study, we investigated the spin dependent electronic transport of a fishbone-like nanostructure including two magnetic atoms at its ends. The electronic conductance of this nanostructure for three different orientations of atomic magnetic moments was numerically studied when the structure was sandwiched between two nonmagnetic leads. By using Green’s function technique at the tight-bind...
full textرسانش وابسته به اسپین یک نانو ساختار استخوان ماهی نوعی
در این پژوهش به مطالعه نظری خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین یک نانوساختار استخوان ماهی شامل دو اتم مغناطیسی در دو انتهایش پرداخته شده است. رسانش الکتریکی این نانو ساختار برای چند جهت گیری متفاوت گشتاورهای مغناطیسی این اتم ها که به دو رسانای غیرمغناطیسی نیمه نامحدود متصل اند، مورد بررسی قرار گرفته است. به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به محاسبه و مقایسه ضریب عبور الکترونی وابسته به اس...
full textکنترل رسانش اسپینی در یک حلقه کوانتومی گرافینی هگزاگونال زیگزاگ متصل به سه رابط در حضور میدان مغناطیسی و اثر راشبا
در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی به دست آمده است و نشان می دهد در غیاب شار مغناطیسی و در مقادیر مناسبی از قدرت راشبا و انرژی الکترون های ورودی، می ...
full textبررسی تجربی ویسکوزیته نانو سیال رسانا در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی
ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول- Fe4O3 تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال به طور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسی ویسکوزیته نانوسیال کاهش مییابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم پایه
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023